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BSC030P03NS3?G

 

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      描述:

      英飞凌的高度创新OptiMOS™家庭包括p沟道功率场效应管。这些产品在电力系统设计的关键规格,如状态电阻和品质特性图上,始终满足最高质量和性能要求。

      类别:分立半导体产品

      FET 类型:P 沟道

      特征描述:

      1、增强模式

      2、正常电平、逻辑电平或超逻辑电平

      3、无铅

      目标应用:

      1、消费电子

      2、DC-DC

      3、emobility

      4、电机控制

      5、笔记本

      6、车载充电器

      型号:BSC030P03NS3 G

      品牌:英飞凌

      电压:6-10V

      电流:25.4A

      工作温度:-55℃-150℃

      封装:PG-TDSON-8

      标准包装:5000/包

      Rohs:Lead free / RoHS Compliant

      FET 型:MOSFET P-Channel, Metal Oxide

      电流-连续漏极(编号)@ 25°C:25.4A

      功率耗散:2.5 W

      功能:英飞凌的高度创新OptiMOS™家庭包括p沟道功率场效应管。这些产品在电力系统设计的关键规格,如状态电阻和品质特性图上,始终满足最高质量和性能要求。

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